在5G通信、HDMI 2.1（48Gbps）及USB4（40Gbps）高速接口普及的当下，传统ESD防护器件因 插入损耗高、封装体积大 成为信号完整性的瓶颈。强茂电子推出第二代ESD?；ざ芟盗?，以 0.09pF结电容、-0.25dB@15GHz插入损耗 及 0.6mm×0.3mm微型封装 ，直击消费电子与通信设备的防护痛点，重新定义高速信号?；さ募际醣呓?。
技术突破：三大创新重构行业标准
1. 高频无损传输技术：
● 采用梯度掺杂工艺优化PN结结构，15GHz频段下插入损耗仅-0.25dB，较上一代降低40%；
● 动态阻抗低至0.2Ω（@8kV），响应时间<0.5ns。
2. 微型封装工艺：
● DFN0603-2L封装体积0.6mm3，较传统SOD-323缩小70%，适配可穿戴设备内部紧凑空间；
● 铜柱凸点焊接技术提升散热能力，功率密度达5W/mm2。
3. 多通道集成设计：
● DFN2510A-10L通过3D堆叠实现10路独立防护，支持PCIe 5.0/USB4多协议共存；
● 集成自恢复功能，可承受1000次8kV ESD冲击。
强茂ESD 2.0系列通过 “高频性能+微型化”双引擎 ，解决三大产业难题：
● 信号完整性：HDMI 2.1实现8K@120Hz零画质损失；
● 空间利用率：TWS耳机PCB节省50%防护器件面积；
● BOM成本：Type-C接口防护方案成本降低60%。
技术难题与解决方案
1. 高频损耗与防护效能矛盾：
● 问题：降低结电容会削弱ESD泄放能力；
● 方案：采用多级PN结串联结构，在0.09pF电容下实现8kV防护等级。
2. 微型封装热失效风险：
● 问题：0.6mm封装散热面积不足导致热积累；
● 方案：纳米银胶封装材料将热阻降至10℃/W。
应用场景与市场前景
● 消费电子：智能手机摄像头模组（防护CMOS传感器，失效率<10ppm）；
● 通信设备：5G毫米波基站AAU单元（支持28GHz频段，插损<-0.3dB）；
● 工业自动化：千兆以太网PHY芯片防护（满足IEC 61000-4-5 Level 4）。
